质量管理
国毓半导体─打造国际专业的电子芯片供应商
RoHS声明产品可靠性REACH 声明不使用冲突地区域矿物源申明
芯片级可靠性验证要求(主要用于考寨芯片设计及晶圆代工厂能力)
项目 参照标准 条件 抽样标准 允收标准 备注
高温反偏(HTGB) JESD22-A108 80% Vgs,Vds=0V, 150C,
168/500/1000hrs
LTPD3% 77ea,
FTO fail
仅功率器件执行此测试
高温反偏(HTRB) JESD22 -A108 Vgs=0V, 80%Vdss, 150'C,
168/500100hrs
L.TPD3% 77ea,
FT 0 fail
仅功率器件执行此测试
静电放电一人体模式(ESD-HBU) JS001 Pass3KV 3ea,
0 fail
客户有要求时做,通用品不用做

封装器件级可靠性验证要求(主要用于考察封装能力)
项目 参照标准 条件 抽样标准 允收标准 备注
前处理(PC) JESD22 A113 30C/60%RI, 192hrs,
Ir-reflow x3
23lea,
FT 0fail(SAT 77ea)
仅贴片元器件做,插件不用做
温度循环测试(TCT) JESD22 -A104 -65C/~ 150'C/15min,
500cycles
LTPD3% 77ea,
FT 0fail
贴片元器件需要先做前处理(PC)
高压蒸煮试验(PCT) JESD22 A102 121010005R1, Vee (Max),
96hrs
L.TPD3% 77ea,
FT 0fail
贴片元器件需要先做前处理(PC)
高温储存测试(IHITSL) JESD22 -A103 150C, 168/500/1000hrs LTPD3% 77ea,
FT 0fail
贴片元器件需要先做前处理(PC)
可焊性测试(ST) JESD22 -BI02 steam aging 8hrs,
245 C, 5ec
LTPD3% 5ea,
沾锡0fail
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